چکيده:

در اين بخش ابتدا اطﻼعات پايه طراحي فرآيند 180 نانومتر CMOSبه صورت خلاصه مرور خواهد شد .در اين قسمت ميتوان اثرات كانال كوتاه و تاثير آنرا در طراحي ملاحظه كرد .با استفاده از اين اطﻼعات ابتدا تقویت کننده مناسب براي استفاده در اين كاربرد تحليل و طراحي مي شود .بعد از آن مدار در سطح ترانزيستور شبيه سازي خواهد شد. سپس در دما هاي مختلف و كرنرهاي مختلف عملكرد تقویت کننده بررسي شده و بعد از اطمينان از درستي طراحي، پیشنهاد خواهد شد.

براي طراحي اين مدار بايد دانست كه مشخصات فرآيندي كه در آن كار ميشود چگونه است .به همين منظور براي شناساي تمامي نقاط قوت و ضعف فرآيند بايد آنرا تا حد زيادي شناخت تا از هر نقطه قوت آن بتوان به خوبي و در جاي ﻻزم خود استفاده كرد.

يكي از مهمترين نكات در تكنولوژي هايي كه زير ابعاد ميكرومتر مي باشند اين است كه با تغيير طول كانال بسياري از ثابتهاي فيزيكي 40 تا 60 درصد تغيير ميكنند، كه هر كدام از اين مشخصات ميتواند در نقطههاي مختلف از مدار كاربرد خود را نشان دهد، بنابراين در اينجا براي دو مقدار از طول كانال، اين ثابت هاي فيزيكي را كه در طراحي از آن استفاده ميشود، مقادير آنها گزارش ميشود .تكنولوژيي كه ما در اختيار داريم تكنولوژي 180 نانومتر CMOSميباشد. در ادامه براي طول كانال هاي 180و 1000 نانومترثابتهاي تحرك پذيري و مقاومت خروجي و خازنها را گزارش كرده و و سپس مدار طراحي ميشود.

در این پروژه علاوه بر تحلیل های نویز، گوشه های پروسه، تغییرات دما و تاثیر آنها برروی خطای کلی نتیجه نهایی مدار، تغییرات پروسه و مونت کارلو برای تغییرات المانها و تغییرات ولتاژ ترشولد ترانزیستورها انجام گرفته است.

عنوان پروژه

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده با بهره 50 دسی بل و پهنای باند بالا

 دانلود مساله طراحی

مشخصات شبيه ساز:

دکتری الکترونیک

دانشگاه تبریز

محتويات

• گزارش جامع و عالی فارسی
• کیدنس

دانلود